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Informatique et serveursRAMSamsung M474B1G73BH0-YH9 | 8GB DDR3-1333MHz PC3-10600 ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module
Samsung M474B1G73BH0-YH9 | 8GB DDR3-1333MHz PC3-10600 ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module — RAM
No. 801387
Samsung

Samsung M474B1G73BH0-YH9 | 8GB DDR3-1333MHz PC3-10600 ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module

86.88USD

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Caractéristiques

Génération DDR DDR3
Type DIMM SODIMM
ECC ECC
Capacité mémoire 8 GB
Fréquence mémoire 1333 MHz
Tension 1.35 V
Prix et disponibilité à confirmer chez le détaillant. Le lien s’ouvre dans un nouvel onglet.