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Informatique et serveursRAMSamsung MV-3T2G4/US | 2GB DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory Module
Samsung MV-3T2G4/US | 2GB DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory Module — RAM
No. 801605
Samsung

Samsung MV-3T2G4/US | 2GB DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory Module

82.12USD

Shop online MV-3T2G4/US Samsung 2GB DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory Module from GotoDirect with fast shipping in the USA

Caractéristiques

Génération DDR DDR3
Type DIMM SODIMM
ECC Non-ECC
Capacité mémoire 2 GB
Fréquence mémoire 1333 MHz
Tension 1.5 V
Prix et disponibilité à confirmer chez le détaillant. Le lien s’ouvre dans un nouvel onglet.