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Informatique et serveursRAMSamsung M474B5173EB0-YMA | 4GB DDR3-1866MHz PC3-14900 ECC Unbuffered SODIMM CL13 1Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module
Samsung M474B5173EB0-YMA | 4GB DDR3-1866MHz PC3-14900 ECC Unbuffered SODIMM CL13 1Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module — RAM
No. 801935
Samsung

Samsung M474B5173EB0-YMA | 4GB DDR3-1866MHz PC3-14900 ECC Unbuffered SODIMM CL13 1Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module

158.69USD

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Caractéristiques

Génération DDR DDR3
Type DIMM SODIMM
ECC ECC
Capacité mémoire 4 GB
Fréquence mémoire 1866 MHz
Tension 1.35 V
Prix et disponibilité à confirmer chez le détaillant. Le lien s’ouvre dans un nouvel onglet.