Informatique et serveurs › Composants d'ordinateur › Samsung MV-3T2G4D/US | 4GB Kit (2x2GB) DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory

No. 801987

Samsung

Samsung MV-3T2G4D/US | 4GB Kit (2x2GB) DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory

Name: Samsung MV-3T2G4D/US | 4GB Kit (2x2GB) DDR3-1333MHz PC3-10600 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL9 2Rx8 1.5V 204-Pin Memory
Brand: Samsung
SKU: AWIN-115128-MV3T2G4DUS

125.90USD

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Caractéristiques

Génération DDR	DDR3
Type DIMM	SODIMM
ECC	Non-ECC
Capacité mémoire	4 GB
Fréquence mémoire	1333 MHz
Tension	1.5 V

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