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› RAM › Samsung MV-3T4G3/US | 4GB DDR3-1600MHz PC3-12800 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL11 2Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module
No. 801783
Samsung
Samsung MV-3T4G3/US | 4GB DDR3-1600MHz PC3-12800 Non-ECC Unbuffered SODIMM CL11 2Rx8 1.35V 204-Pin Memory Module
77.31USD
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Caractéristiques
| Génération DDR | DDR3 |
|---|---|
| Type DIMM | SODIMM |
| ECC | Non-ECC |
| Capacité mémoire | 4 GB |
| Fréquence mémoire | 1600 MHz |
| Tension | 1.35 V |
Prix et disponibilité à confirmer chez le détaillant. Le lien s’ouvre dans un nouvel onglet.